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環球晶圓（GlobalWafers）近期宣布額外擴增20%氮化鎵（GaN）產能，這一舉措并非盲目的化合物半導體擴張，而是精準對準了新一代AI服務器電源系統中最緊缺的材料環節——650V GaN-on-Si外延片（Epi Wafer）及部分100V/150V GaN外延，旨在支撐AI數據中心供電鏈路里三大關鍵電源IC/模塊的制造需求。

首先是800V HVDC架構下的中間母線轉換器（IBC，800V→48V/54V）。隨著AI服務器機柜向高壓直流供電演進，這一級DC/DC轉換要求開關頻率突破500kHz且損耗極低。傳統硅MOSFET已顯乏力，650V GaN HEMT（GaN FET）憑借低導通電阻和零反向恢復特性成為首選。環球晶圓新增的6英寸/8英寸GaN-on-Si外延片，正是英飛凌CoolGaN?、英諾賽科（Innoscience）等產品的制造基石，直接決定了器件的良率與耐壓一致性。

其次是前端鈦金級AC/DC電源單元（PSU，3kW~12kW）。面對單機柜功率突破120kW的算力集群，整機柜對電源效率要求提升至96%~98%以上。650V GaN功率晶體管在此環節替代超結MOSFET，可將開關頻率提至1MHz級并顯著縮小磁性元件體積。環球晶圓通過提升外延片質量，保障了這些高可靠性電源IC的量產穩定性，成為TI、Power Integrations等PSU芯片廠向上游鎖定的關鍵資源。

此外，在新興的48V直接供電架構中，部分方案開始采用100V/150V GaN FET進行次級側同步整流。雖然該節點仍可與高性能硅MOS混用，但隨著GPU供電密度繼續攀升，100V GaN需求增速明顯，環球晶圓也在同線彈性調配部分產能予以支持。

整體來看，環球晶圓這20%的GaN擴產，實質上是在為AI服務器的“心臟”——高效供電模塊——補齊材料短板。隨著2026年AI算力集群的持續放量，擁有穩定GaN外延片供應的電源IC廠，將在新一代800V供電市場中占據先機。